Perfil Dopagem Transistor: Base é Moderadamente Dopada

Em transistor junção bipolar (BJT), a região base é moderadamente dopada — por projeto.

Região	Nível Dopagem	Concentração Típica (cm⁻³)	Propósito
Emissor (n⁺)	Pesada	10¹⁹–10²⁰	Injetar grande densidade portadores na base
Base (p)	Moderada	10¹⁶–10¹⁷	Fina, levemente dopada → alto β, baixa recombinação
Coletor (n⁻)	Leve	10¹⁴–10¹⁵	Região depleção larga → alta tensão ruptura V_CB

Alta eficiência injeção emissor (γ): Emissor ≫ dopagem base garante maioria corrente é elétrons injetados do emissor, não lacunas da base.
Fator transporte base (α_T): Base fina, moderadamente dopada minimiza recombinação → β = γα_T/(1–γα_T) aproxima 100-300.
Tensão Early / resistência saída: Dopagem leve coletor empurra V_A mais alto.
Tensões ruptura: Junção coletor-base (levemente dopada) suporta alto V_CBO; emissor-base (pesadamente dopada) tem baixo V_EBO (~6-7V).

Mesmo perfil, polaridades invertidas: emissor p⁺, base n (moderada), coletor p⁻.

Perfil dopagem preciso (incluindo designs base graduada/pushout) otimizado pela fundição para β alvo, f_T, V_A, e ruído.