Silício (Si) e germânio (Ge) são semicondutores de banda proibida indireta — elétrons recombinando com lacunas liberam energia principalmente como calor (fônons), não fótons. Isso os torna terríveis emissores de luz.
| Material | Banda Proibida (eV) | Tipo | Emissão | Uso em LED |
|---|---|---|---|---|
| Silício (Si) | 1,12 | Indireta | ~1100 nm (IR fraco) | Não (fotodiodos, solar) |
| Germânio (Ge) | 0,66 | Indireta | ~1800 nm (IR fraco) | Não (óptica IR, detectores) |
| GaAs | 1,42 | Direta | 870 nm (IR) | LEDs IR, VCSELs |
| AlGaInP | 1,9–2,3 | Direta | Vermelho, Laranja, Amarelo | Alto brilho visível |
| InGaN/GaN | 2,8–3,4 | Direta | Azul, Verde, Branco (fósforo) | Todos LEDs visíveis modernos |
LEDs são crescidos em wafers de safira (Al₂O₃), SiC ou Si (para GaN-on-Si) — mas as camadas ativas emissoras de luz são compostos III-V (InGaN, AlGaInP), nunca Si/Ge elementares.
Substratos SiC e safira também lidam com alta densidade de corrente e calor — crítico para manutenção de lúmens.
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