Transistores não "transferem" resistência no sentido literal. Em vez disso, funcionam como válvulas de corrente controladas por tensão que alteram dinamicamente a resistência efetiva entre coletor e emissor (ou dreno e fonte para FETs), permitindo amplificação, chaveamento e modulação de sinal.
Os três terminais de um BJT — base, coletor, emissor — formam duas junções PN. Pequena corrente de base (IB) controla corrente de coletor muito maior (IC), com razão definida pelo ganho de corrente β (beta). Em saturação (totalmente "ligado"), o caminho coletor-emissor apresenta resistência muito baixa (< 0,2V queda). Em corte (totalmente "desligado"), exibe resistência de megaohms.
FETs usam tensão de gate para modular condutividade do canal. Com impedância de gate quase infinita, consomem corrente de controle desprezível. A resistência de ligação de um MOSFET (RDS(on)) pode ser miliohms, enquanto resistência de desligamento excede gigaohms — tornando-os excelentes chaves eletrônicas.
Ao contrário de um reostato ou potenciômetro digital, a "resistência" de um transistor não é propriedade física fixa — é um ponto de operação dinâmico determinado por condições de polarização e níveis de sinal instantâneos. Esta condutividade controlável é a base da eletrônica moderna.
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