Transistores de potência como o 2N3055 atuam como amplificadores que coletam e emitem correntes através de uma base metálica. Esses componentes servem como chaves desviadoras de corrente em numerosos dispositivos eletrônicos, de televisores a reguladores de tensão. O 2N3055 é um transistor de potência de silício complementar comum produzido por numerosas empresas de eletrônica. Embora muitos fabricantes ofereçam o transistor 2N3055, suas especificações permanecem as mesmas entre marcas.
O transistor de potência 2N3055 é um transistor NPN planar epitaxial à base de silício que possui invólucro metálico Jedec TO-3. Fabricantes do transistor tipo 2N3055 incluem ST Microelectronics, Siemens, Motorola, Microsemi e Central Semiconductor Corporation. Esses fabricantes recomendam o transistor para uso com amplificadores de alta fidelidade, estágios de saída, circuitos de chaveamento de potência e reguladores série e shunt.
No mundo dos transistores, fabricantes definem os dispositivos por suas classificações máximas absolutas de corrente. O transistor de potência 2N3055 tem tensão coletor-base máxima de 100 volts, tensão coletor-emissor VCER máxima de 70 volts e tensão coletor-emissor VCEO máxima de 60 volts. A tensão emissor-base VEBO do dispositivo é de 7 volts. Tem classificação absoluta máxima de corrente de coletor de 15 amperes e classificação de corrente de base de 7 amperes. O 2N3055 tem dissipação total de 115 watts.
O transistor de potência 2N3055 tem temperatura máxima de junção de operação de 200 graus Celsius, ou 392 graus Fahrenheit. Pode ser armazenado em temperaturas variando de -65 a 200 graus Celsius. A resistência térmica junção-invólucro do dispositivo classifica em máximo de 1,5 graus Celsius por watt, uma medida da capacidade do transistor para transferência de calor.
Sob condições de teste de 100 volts, o transistor de potência 2N3055 tem corte de coletor ICEX de 1 microampere e classificação de corrente de 5 mA. A 30 volts, seu corte de coletor ICEO cai para máximo de 0,7 mA. O transistor apresenta tensão de sustentação coletor-emissor VCEO mínima de 60 volts, ganho de corrente DC máximo de 70 volts, frequência de transição de 3 megahertz e corrente de coletor de segunda ruptura de 2,87 amperes.
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