Um par Darlington (ou transistor Darlington) conecta dois transistores de junção bipolar (BJTs) de modo que o emissor do primeiro aciona a base do segundo, resultando em um dispositivo composto com βtotal ≈ β₁ × β₂ — tipicamente 1.000–10.000 vs. 50–200 para um BJT único.
+Vcc | Rc | Coletor (Q2) ──→ Saída | Emissor (Q2) ───┬───→ Saída (seguidor emissor) | | Coletor (Q1) | | | Base (Q1) ──────┘ ← Entrada | Gnd
Chave: Coletores unidos; emissor Q1 → base Q2; entrada base única (Q1); saída emissor única (Q2).
| Parâmetro | BJT Único | Par Darlington |
|---|---|---|
| Ganho corrente (β/hFE) | 50–300 | 1.000–10.000+ |
| Tensão base-emissor (VBE) | 0,6–0,7V | 1,2–1,4V (duas junções) |
| Impedância entrada | β·RE | β₁β₂·RE (muito alta) |
| Impedância saída | Baixa (seguidor emissor) | Muito baixa |
| Tensão saturação (VCE(sat)) | 0,1–0,2V | 0,7–1,0V (Q2 nunca satura totalmente) |
| Velocidade comutação | Rápida (ns–µs) | Mais lenta (tempo armazenamento ×2) |
| Estabilidade térmica | Boa | Desafiada (tempco positivo VBE ×2) |
NPN + PNP (ou PNP + NPN) → apenas uma queda VBE (0,7V), melhor saturação, simetria complementar para saídas push-pull. Usado em áudio high-end (ex: designs Nelson Pass).
O par Darlington troca velocidade e tensão de saturação por enorme ganho de corrente e impedância de entrada. É a solução ideal quando um microcontrolador deve acionar carga de alta corrente diretamente, ou quando impedância de entrada ultra-alta é necessária. Para estágios saída áudio, o par Sziklai frequentemente supera. Sempre verifique SOA (Área Operação Segura) e design térmico.
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