| Característica | Amplificador BJT | Amplificador FET |
|---|---|---|
| Impedância Entrada | Baixa (faixa k$\Omega$) | Muito Alta (M$\Omega$–G$\Omega$) |
| Impedância Saída | Baixa–Média | Alta |
| Ganho Tensão | Moderado | Alto |
| Ganho Corrente | Alto ($\beta$ = 50–300) | Quase Infinito ($I_G\approx$0) |
| Consumo Potência | Maior (corrente base) | Menor (corrente gate desprezível) |
| Ruído | Maior (shot + térmico) | Menor (especialmente JFET/MOSFET) |
| Resposta Frequência | Mais ampla (menor $C_{parasita}$) | Mais estreita (alto $C_{gs}$, $C_{gd}$) |
| Linearidade | Moderada (I-V exponencial) | Melhor (lei quadrado/saturação) |
| Estabilidade Térmica | Precisa compensação ($V_{BE} \downarrow$ com T) | Melhor ($V_{th} \downarrow$, mas gerenciável) |
| Sensibilidade ESD | Baixa | Alta (óxido gate MOSFET) |
| Custo (Discreto) | Menor | Comparável |
A maioria amplificadores integrados (amp-ops, amps áudio) usam ambos: estágio entrada FET (alto Z, baixo ruído) + estágio saída BJT (drive corrente). Projetos discretos escolhem baseados nos trade-offs acima.
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