Sulfeto de cádmio (CdS) não é intrinsecamente tipo-n. Seu tipo de condutividade — tipo-n, tipo-p, ou quase intrínseco — depende inteiramente de estequiometria, defeitos nativos e dopagem intencional.
CdS perfeitamente estequiométrico tem gap direto de ~2.42 eV. À temperatura ambiente sua concentração intrínseca de portadores é extremamente baixa (~10⁶ cm⁻³), comportando-se quase como isolante. Apenas a temperaturas elevadas a excitação térmica produz condução intrínseca mensurável.
| Tipo Alvo | Dopantes / Defeitos Comuns | Mecanismo |
|---|---|---|
| tipo-n | Cl, Br, I (no sítio S); intersticiais de Cd; vacâncias de S | Doam elétrons para banda de condução |
| tipo-p | Cu, Ag, Au, Li, Na (no sítio Cd); vacâncias de Cd | Criam níveis aceitadores perto da banda de valência |
Como vacâncias de enxofre e intersticiais de cádmio formam facilmente durante crescimento típico (especialmente em atmosferas pobres em enxofre), CdS como-crescido é geralmente tipo-n. No entanto, dopagem deliberada de cobre ou lítio — mais recozimento em vapor de cádmio — produz confiavelmente material tipo-p com concentrações de lacunas até 10¹⁶ cm⁻³.
Em heterojunções fotovoltaicas (ex.: CdS/CdTe ou CdS/CIGS), a camada janela de CdS é intencionalmente depositada tipo-n para formar junção p-n adequada. Para dispositivos especializados — fotodetectores, TFTs, ou sensores de radiação — engenheiros adaptam o tipo de condutividade via os botões acima.
Conclusão: CdS é um semicondutor II-VI dopável cuja polaridade é uma escolha de engenharia, não propriedade fixa.
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