Transistores de Efeito de Campo (FETs) diferem de Transistores de Junção Bipolar (BJTs) porque BJTs são controlados por corrente, enquanto FETs são controlados por tensão. Isso deve ser considerado durante a polarização. Basicamente, existem três formas comuns de polarizar FETs: polarização fixa, auto-polarização e polarização por divisor de tensão. Uma pequena corrente em FETs resulta em impedância de entrada muito alta que também afeta a polarização aplicada para rodar o transistor.
Conecte um capacitor de acoplamento (C1) e um resistor (Rg) ao terminal de gate do FET.
Conecte uma tensão gate-source (VGS) com o terminal negativo anexado a uma extremidade do Rg. Mantenha o terminal de source do FET positivo em relação ao gate. Um sinal é aplicado através do capacitor e desenvolvido através do resistor.
Calcule a queda de tensão DC (Vg) através do Rg, usando a fórmula:
Vg = Ig × Rg
Como o gate é sempre negativo em relação ao source, nenhuma corrente flui através do Rg e a corrente do terminal de gate é 0:
Ig = 0
Vds = Vdd − Id × Rd
Vs = 0V
Vc = Vds
V = Vgs
Vgs = -Vgg
Onde:
Vs - Tensão de source
Vds - Tensão drain-source
Vgs - Tensão gate-source
Conecte o terminal positivo do VGS ao source e o negativo ao gate.
Conecte dois resistores: um entre o gate e o Rg, e outro entre o source e o Rs.
Determine a tensão através do Rs usando a fórmula:
Vs = Id × Rs
Onde:
Id - Corrente de drain
Vgs = Vg − Vs = 0 − Id×Rs = -Id×Rs
A queda de tensão através do Rs fornece a tensão de polarização (VGS) necessária para rodar o FET.
Conecte um circuito divisor de tensão conforme diagrama (veja referências).
Polarize reversamente o gate para que nenhuma corrente flua através dele.
Determine a tensão do gate usando a fórmula:
Vg = (Vdd / (Rg1 + Rg2)) × Rg2
Onde:
Vg - Tensão do gate
Vdd - Tensão no terminal de drain
Rg1 - Resistor entre gate e drain
Rg2 - Resistor entre gate e terminal da bateria
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