O transistor 3SK51 é encapsulado em pacote TO-72. Sua altura total do topo à base varia de 4,32 a 5,33 mm (0,170 a 0,210 polegadas), e mede de 5,31 a 5,84 mm (0,209 a 0,230 polegadas) de diâmetro no ponto mais largo da base. A largura do encapsulamento sem a base é de 4,45 a 5,03 mm (0,175 a 0,198 polegadas) e a base mede de 12,7 a 19,05 mm (0,500 a 0,750 polegadas) de altura. Os quatro terminais estão posicionados em padrão circular; medem 0,41 a 0,53 mm (0,016 a 0,021 polegadas) de comprimento. O diâmetro do círculo formado pelos terminais é 2,54 mm (0,100 polegadas). Há faixa de dimensões devido ao tamanho minúsculo do pacote e especificações aceitas para o encapsulamento.
A tensão máxima drain-source para este MOSFET é 20 volts. A tensão máxima gate-source é 7 volts. Sua dissipação máxima de potência é 330 miliwatts e sua corrente máxima de drain é 35 miliamperes.
A temperatura máxima de junção deste MOSFET é 175 °C (347 °F). Sua capacitância drain-source é 20 picofarads.
O 3SK51 pode ser substituído por 3N159, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N211, 3N212, 40600, 40601, 40602, 40603, 40604, bem como HEPF2004, IRLBA3803/P e IRLBA3803P, dependendo da aplicação.
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