Um transistor bipolar de junção (BJT) tem três regiões semicondutoras dopadas com três terminais. Seus nomes descrevem fluxo de portadores.
Transistor NPN (Mais Comum)
| Terminal | Símbolo | Dopagem | Função | Direção Corrente |
|---|
| Emissor | E | Fortemente dopado tipo-n (n+) | Emite elétrons (portadores majoritários) na base | Corrente flui PARA FORA do emissor (convencional: PARA DENTRO do emissor) |
| Base | B | Levemente dopado tipo-p | Controla fluxo elétrons; fina para maioria difundir através | Pequena corrente PARA DENTRO base (injeção buracos / recombinação) |
| Coletor | C | Moderadamente dopado tipo-n | Coleta elétrons que atravessam base | Corrente flui PARA DENTRO coletor (convencional) |
Transistor PNP (Complementar)
- Dopagens invertidas: E=p+, B=n, C=p.
- Portadores majoritários = buracos.
- Emissor emite buracos na base.
- Direções corrente invertidas vs. NPN.
Princípio Operacional Chave
Pequena Corrente Base (IB) controla grande Corrente Coletor (IC)
- IC = β × IB (β = hFE = ganho corrente, tipicamente 50–300).
- IE = IC + IB ≈ IC (já que IB é pequena).
- Junção Base-Emissor = diodo polarizado diretamente (~0,7V Si).
- Junção Base-Coletor = polarizada reversamente (modo ativo normal).
Configurações Circuito
- Emissor Comum: Entrada Base, Saída Coletor, Emissor comum. Ganho tensão + ganho corrente. Inversor.
- Coletor Comum (Seguidor Emissor): Entrada Base, Saída Emissor. Ganho tensão ≈1, alto ganho corrente, não-inversor. Buffer.
- Base Comum: Entrada Emissor, Saída Coletor. Ganho tensão, ganho corrente ≈1. Alta frequência.
Identificando Terminais (Through-Hole TO-92)
- Face plana voltada para você, terminais para baixo: Esquerda = Emissor, Centro = Base, Direita = Coletor (EBC) para maioria NPN (2N3904, BC547). Sempre cheque datasheet.
- PNP frequentemente EBC ou CBE — datasheet essencial.
Lembre: Emissor emite, Base controla, Coletor coleta. Seta no símbolo esquemático aponta PARA FORA para NPN (fluxo elétrons), PARA DENTRO para PNP (fluxo buracos).
