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Condições de Disparo do SCR: Gatilho de Gate e Corrente de Mantenimento

Três Condições para Disparar um Retificador Controlado de Silício

Um SCR (Tiristor) é uma chave de travamento de quatro camadas (PNPN). Permanece DESLIGADO (bloqueando) até que três condições simultâneas sejam atendidas. Uma vez travado, permanece LIGADO até que a corrente de anodo caia abaixo da Corrente de Mantenimento (IH).

Os Três Requisitos de Disparo

  1. Polarização Direta (Anodo Positivo): VAK > 0. Anodo (A) deve estar em potencial mais alto que Cátodo (K). Polarização reversa (VAK < 0) → modo bloqueio reverso (como diodo). Nenhum sinal de gate pode ligá-lo em reverso.
  2. Corrente de Gatilho do Gate (IGT): Pulso de corrente positiva no Gate (G) relativo ao Cátodo. IGT típico: 5–50 mA (gate sensível) a 50–200 mA (padrão). Largura do pulso ≥ 10–50 µs (datasheet). Corrente de gate injeta portadores na junção J2, iniciando travamento regenerativo.
  3. Corrente de Anodo > Corrente de Travamento (IL): Após pulso de gate, corrente de anodo deve atingir IL (tipicamente 1,5–3× IH, ex.: 10–100 mA) para sustentar condução *sem* drive de gate. Se corrente de carga < IL, SCR desliga quando pulso de gate termina.

Mecanismo de Desligamento (Comutação)

SCR é dispositivo de travamento. Gate perde controle uma vez travado. Desligamento requer:

  • Corrente de Anodo < Corrente de Mantenimento (IH): Cruzamento por zero natural CA (comutação de linha) ou comutação forçada (circuitos CC: capacitor, indutor, SCR auxiliar).
  • Tempo de Recuperação Reversa (trr): Após corrente zero, SCR precisa tq (tempo de desligamento, 10–200 µs) para recuperar capacidade de bloqueio. dV/dt reaplicado deve ser < dV/dt crítico.

Melhores Práticas de Drive de Gate

  • Tempo de Subida Rápido: di/dt > 1 A/µs para disparo confiável (reduz hot-spot local de turn-on).
  • Margem de Amplitude: Drive IG ≥ 2–5× IGT(máx) sobre temperatura.
  • Isolamento: Transformador de pulso ou optoacoplador (ex.: HCPL-3120) para drive de gate flutuante.
  • Polarização Negativa do Gate (Opcional): -5V a -10V durante estado DESLIGADO melhora imunidade dV/dt (previne falso turn-on).

Parâmetros-Chave do Datasheet

SímboloNomeFaixa Típica
VDRM/VRRMTensão de Pico Repetitiva Fora Estado50–6500 V
IT(AV)Corrente Média em Estado Ligado1–5000 A
IGTCorrente de Gatilho do Gate0,2–200 mA
VGTTensão de Gatilho do Gate0,5–1,5 V
IHCorrente de Mantenimento1–200 mA
ILCorrente de Travamento2–500 mA
tqTempo de Desligamento10–200 µs

Aplicação Típica: Controle de Fase CA (Dimmer/Aquecedor)

Gate disparado em ângulo controlado α após cruzamento por zero de tensão. Condução de α a π. Potência da carga controlada variando α. Requer detecção cruzamento-zero + rampa/comparador ou temporizador microcontrolador.