Distorção cruzamento (crossover distortion) é não-linearidade ocorre em estágios saída push-pull (Classe-B e Classe-AB) quando sinal transiciona entre semi-ciclos positivo e negativo — i.e., quando um transistor desliga e outro liga. Uma "zona morta" existe onde nenhum dispositivo conduz totalmente, criando entalhe ou dobra forma onda saída.
Cada transistor conduz exatamente 180°. Entrada zero, ambos corte. Limiar base-emissor ($V_{BE} \approx 0,6–0,7$ V Si) deve ser superado antes condução começar. Durante gap, tensão saída estagna perto zero.
Pequena corrente quiescente ($I_Q$) polariza ambos transistores levemente ligados, encolhendo mas não eliminando zona morta. Distorção residual permanece, especialmente baixos níveis saída onde sinal mal excede região polarização.
| Técnica | Como Funciona | Trade-offs |
|---|---|---|
| Polarização Classe-AB (multiplicador $V_{BE}$, string diodos) | Define $I_Q$ 10–100 mA, mantendo ambos dispositivos levemente ligados | Aumenta dissipação ociosa; rastreamento térmico necessário |
| Realimentação negativa global (NFB) | Reduz distorção fator ganho malha (1+A$\beta$) | Pode causar instabilidade; TIM/SID se excessiva |
| Degeneração emissor local | Lineariza curva transferência cada transistor | Reduz ganho; precisa mais tensão drive |
| Predistortion / feedforward | Injeta distorção inversa cancelar | Complexo; sensível deriva componentes |
| Estágio saída Classe-A | Elimina cruzamento totalmente (dispositivo único sempre ligado) | Eficiência muito baixa ($\le$25%); dissipadores massivos |
| Classe-D (chaveamento) | Dispositivos saída são chaves — sem região linear cruzamento | EMI, projeto filtro, distorção dead-time |
Regra projeto: Para <0,01% THD a 1 W em 8 $\Omega$, Classe-AB com 50 mA $I_Q$, resistores emissor (0,22–0,47 $\Omega$), e 30–40 dB NFB global é receita comprovada. Sempre verifique rastreamento térmico rede polarização.
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