Um sensor de imagem CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) converte luz em dados de imagem digital usando circuitaria paralela no chip — a tecnologia dominante em câmeras modernas, celulares e sensores.
Cada pixel contém um fotodiodo fixado (PPD). Fótons incidentes geram pares elétron-buraco. Elétrons coletados em poço de potencial. Capacidade = capacidade de poço total (ex.: 20.000–100.000 e⁻).
Transistor seguidor de fonte (ou arquitetura pixel 3T/4T/5T) converte carga acumulada em tensão em cada pixel. Esta é a diferença chave do CCD (único amplificador de saída).
Fluxo digital de pixels (MIPI CSI-2, SLVS-EC, HiSPi, paralelo) → Processador de Sinal de Imagem (ISP) → processamento adicional (desmosaicagem, NR, mapeamento de tom, compressão) → armazenamento/exibição.
| Aspecto | CMOS | CCD |
|---|---|---|
| Leitura | Paralela (ADC coluna) | Serial (saída única) |
| Consumo | Baixo (mW) | Alto (100s mW–W) |
| Velocidade | Alta (100s fps) | Baixa (poucos fps) |
| Integração | Alta (ISP, AF, lógica no chip) | Baixa (chips separados) |
| Ruído | Baixo (com CDS, BSI) | Muito baixo (historicamente) |
| Obturador Global | Possível (pixels global shutter, empilhados) | Nativo |
| Custo | Baixo (fab CMOS padrão) | Alto (processo especializado) |
CMOS venceu escalando com a Lei de Moore. Sensores 1-poleada, APS-C, full-frame e de celular atuais são todos CMOS — e melhorando a cada geração.
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