Descarga Eletrostática (ESD) danifica eletrônicos sensíveis silenciosamente. Um programa abrangente de controle ESD (per ANSI/ESD S20.20, IEC 61340-5-1) combina equipamentos, materiais, procedimentos e treinamento.
| Dispositivo | Função | Spec Típico |
|---|---|---|
| Ionizadores (CA/CC, Estado Estacionário, Pulsado) | Neutralizam carga em isoladores/condutores isolados onde aterramento impossível | Tempo descarga < 5 s @ 30 cm; tensão offset < ±10 V |
| Sopradores/Pistolas Ionizantes Bancada | Neutralização localizada para montagem/reparo | Mesmo acima; saída íons balanceada |
| Tapetes ESD Bancada | Caminho dissipativo a terra (10⁶–10⁹ Ω/sq). Aterrado via resistor 1 MΩ. | RTT (Resistência à Terra) 10⁶–10⁹ Ω. Limpe com limpador ESD-safe. |
| Piso / Tapetes ESD | Caminho condutivo/dissipativo para pessoal + carrinhos | Resistência sistema (pessoa+piso+sapato) < 3,5×10⁷ Ω (ANSI/ESD S20.20) |
| Pulseiras Aterradas | Conectam operador a terra. Resistor série 1 MΩ para segurança. | Monitor continuidade (alarme se aberto). Teste diário. |
| Terradores Calcanhar/Ponta + Sapatos Condutivos | Para operadores em pé/móveis. Devem funcionar com piso ESD. | Teste resistência sistema per S20.20. |
| Aterramento / Ligação Equipotencial | Ponto comum terra (CPG) conecta tapete, pulseira, ferramentas, equipamento, terra prédio. | Impedância < 1 Ω a terra prédio. |
| Embalagem Blindada/Condutiva | Efeito gaiola Faraday: sacos metal-in/metal-out, totes condutivos, espuma, fita. | Resistência superficial < 10¹¹ Ω (dissipativo) ou < 10⁴ Ω (condutivo). |
| Umidificação | Eleva UR a 40–60% reduz carga triboelétrica. | Monitore UR; evite condensação. |
| Classe | Faixa Tensão | Exemplos |
|---|---|---|
| 0 | < 250 V | Cabeças MR, CMOS avançado, GaAsFETs |
| 1A | 250–499 V | CMOS alta velocidade, MOSFETs |
| 1B | 500–999 V | CMOS padrão, microcontroladores |
| 1C | 1000–1999 V | Bipolar analógico, CMOS antigo |
| 2 | 2000–3999 V | TTL, CMOS 5V, discreto potência |
| 3A | 4000–7999 V | Discretos robustos |
| 3B | ≥ 8000 V | Muito robustos (raramente danificados) |
Design In: Proteção on-chip (diodos, clamps), resistência série, caps filtro. Design Out: Materiais geradores de carga, condutores isolados. Controle: O programa acima.
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